Το SLA (Στερεολιθογραφία) είναι μια διαδικασία παραγωγής προσθέτων που λειτουργεί εστιάζοντας ένα λέιζερ υπεριώδους ακτινοβολίας σε μια δεξαμενή φωτοπολυμερούς ρητίνης. Με τη βοήθεια του λογισμικού κατασκευής με τη βοήθεια υπολογιστή ή σχεδίασης με τη βοήθεια υπολογιστή (CAM/CAD), το λέιζερ UV χρησιμοποιείται για να σχεδιάσει ένα προ-προγραμματισμένο σχέδιο ή σχήμα στην επιφάνεια του κάδου φωτοπολυμερούς. Τα φωτοπολυμερή είναι ευαίσθητα στο υπεριώδες φως, έτσι η ρητίνη στερεοποιείται φωτοχημικά και σχηματίζει ένα ενιαίο στρώμα του επιθυμητού τρισδιάστατου αντικειμένου. Αυτή η διαδικασία επαναλαμβάνεται για κάθε επίπεδο του σχεδίου μέχρι να ολοκληρωθεί το τρισδιάστατο αντικείμενο.
Η CARMANHAAS θα μπορούσε να προσφέρει στον πελάτη το οπτικό σύστημα που περιλαμβάνει κυρίως γρήγορο σαρωτή γαλβανομέτρου και φακό σάρωσης F-THETA, επέκταση δέσμης, καθρέφτη κ.λπ.
Κεφαλή σαρωτή Galvo 355nm
Μοντέλο | PSH14-H | PSH20-H | PSH30-H |
Ψύξη με νερό/σφραγισμένη κεφαλή σάρωσης | Ναί | Ναί | Ναί |
Διάφραγμα (mm) | 14 | 20 | 30 |
Αποτελεσματική γωνία σάρωσης | ±10° | ±10° | ±10° |
Σφάλμα παρακολούθησης | 0,19 ms | 0,28 ms | 0,45 ms |
Χρόνος απόκρισης βήματος (1% της πλήρους κλίμακας) | ≤ 0,4 ms | ≤ 0,6 ms | ≤ 0,9 ms |
Τυπική Ταχύτητα | |||
Τοποθέτηση / άλμα | < 15 m/s | < 12 m/s | < 9 m/s |
Σάρωση γραμμής/σάρωση ράστερ | < 10 m/s | < 7 m/s | < 4 m/s |
Τυπική διανυσματική σάρωση | < 4 m/s | < 3 m/s | < 2 m/s |
Καλή ποιότητα γραφής | 700 cps | 450 cps | 260 cps |
Υψηλή ποιότητα γραφής | 550 cps | 320 cps | 180 cps |
Ακρίβεια | |||
Γραμμικότητα | 99,9% | 99,9% | 99,9% |
Ψήφισμα | ≤ 1 ουράντ | ≤ 1 ουράντ | ≤ 1 ουράντ |
Επαναληψιμότητα | ≤ 2 ουράντ | ≤ 2 ουράντ | ≤ 2 ουράντ |
Μετατόπιση θερμοκρασίας | |||
Offset Drift | ≤ 3 ουράντ/℃ | ≤ 3 ουράντ/℃ | ≤ 3 ουράντ/℃ |
Qver 8 ώρες Long-Term Offset Drift (Μετά από προειδοποίηση 15 λεπτών) | ≤ 30 ουράντ | ≤ 30 ουράντ | ≤ 30 ουράντ |
Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας | 25℃±10℃ | 25℃±10℃ | 25℃±10℃ |
Διεπαφή σήματος | Αναλογικό: ±10V Ψηφιακό: Πρωτόκολλο XY2-100 | Αναλογικό: ±10V Ψηφιακό: Πρωτόκολλο XY2-100 | Αναλογικό: ±10V Ψηφιακό: Πρωτόκολλο XY2-100 |
Απαιτήσεις ισχύος εισόδου (DC) | ±15V@ 4A Max RMS | ±15V@ 4A Max RMS | ±15V@ 4A Max RMS |
355 nmΦ-Θήτα Φακόςes
Περιγραφή μέρους | Εστιακό μήκος (mm) | Πεδίο σάρωσης (mm) | Μέγιστη είσοδος Κόρη (mm) | Απόσταση εργασίας (mm) | Βάση Νήμα |
SL-355-360-580 | 580 | 360x360 | 16 | 660 | M85x1 |
SL-355-520-750 | 750 | 520x520 | 10 | 824,4 | M85x1 |
SL-355-610-840-(15CA) | 840 | 610x610 | 15 | 910 | M85x1 |
SL-355-800-1090-(18CA) | 1090 | 800x800 | 18 | 1193 | M85x1 |
Διαστολέας δέσμης 355 nm
Περιγραφή μέρους | Επέκταση Αναλογία | Εισαγωγή ΑΠ (mm) | Έξοδος CA (mm) | Στέγαση Διάμετρος (mm) | Στέγαση Μήκος (mm) | Βάση Νήμα |
BE3-355-D30:84,5-3x-A(M30*1-M43*0,5) | 3X | 10 | 33 | 46 | 84,5 | Μ30*1-Μ43*0,5 |
BE3-355-D33:84,5-5x-A(M30*1-M43*0,5) | 5X | 10 | 33 | 46 | 84,5 | Μ30*1-Μ43*0,5 |
BE3-355-D33:80,3-7x-A(M30*1-M43*0,5) | 7X | 10 | 33 | 46 | 80.3 | Μ30*1-Μ43*0,5 |
BE3-355-D30:90-8x-A(M30*1-M43*0,5) | 8X | 10 | 33 | 46 | 90,0 | Μ30*1-Μ43*0,5 |
BE3-355-D30:72-10x-A(M30*1-M43*0,5) | 10Χ | 10 | 33 | 46 | 72,0 | Μ30*1-Μ43*0,5 |
Καθρέφτης 355nm
Περιγραφή μέρους | Διάμετρος (mm) | Πάχος (mm) | Επένδυση |
355 Καθρέφτης | 30 | 3 | HR@355nm, 45° AOI |
355 Καθρέφτης | 20 | 5 | HR@355nm, 45° AOI |
355 Καθρέφτης | 30 | 5 | HR@355nm, 45° AOI |